Модули обхода иммобилайзера SCHER-KHAN в Санкт-Петербурге: 173-товара: бесплатная доставка [перейти]

Модуль обхода иммобилайзера Pandora DI-03 Производитель: Pandora

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера CARMEGA BIS-302 Производитель: Carmega

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода иммобилайзера StarLine BP-03 Производитель: StarLine

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода иммобилайзера STAR LINE Производитель: StarLine

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера CARMEGA BIS-301 PRO CARMEGA Производитель: Carmega

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера CARMEGA BIS-210 Производитель: Carmega

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода иммобилайзера STAR LINE Производитель: StarLine

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера Starline BP-2 Производитель: StarLine

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода иммобилайзера STAR LINE BP02 StarLine 1011480 Производитель: StarLine

ПОДРОБНЕЕ

10 300

Автосигнализация Scher-Khan M20 комплект 2. 0 Производитель: Scher-Khan

ПОДРОБНЕЕ

Модули обхода иммобилайзераbp 2bp 2bp 3Обход иммобилайзера

Модуль обхода иммобилайзера STAR LINE Производитель: StarLine

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера CARMEGA BIS-201 Производитель: Carmega

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера Старлайн BP-04 AKK store Производитель: StarLine

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера CARMEGA BIS-301 PRO Производитель: Carmega

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода иммобилайзера STAR LINE Производитель: StarLine

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера CARMEGA BIS-140 Производитель: Carmega, Функции: режим

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера CARMEGA BIS-302 PRO Производитель: Carmega

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода Scher-Khan BP-2 Тип: модуль обхода, Производитель: Scher-Khan, Датчик движения: Нет

ПОДРОБНЕЕ

Обходчик иммобилайзера ALLIGATOR BYPASS Тип: обходчик иммобилайзера, Класс товара:

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера BP-04, StarLine Код: 286913, Бренд: StarLine

В МАГАЗИН

Модуль обхода штатного иммобилайзера BP-03, StarLine Код: 286904, Бренд: StarLine

В МАГАЗИН

Модуль обхода штатного иммобилайзера BP-02 , StarLine Код: 216988, Бренд: StarLine

В МАГАЗИН

Модуль обхода иммобилайзера StarLine BP-03

В МАГАЗИН

Блок обхода иммобилайзера BP-06 STAR LINE

В МАГАЗИН

Модуль обхода штатного иммобилайзера Уаз Патриот

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода штатного иммобилайзера MYSTERY CHAMELEON B1 Производитель: Mystery

ПОДРОБНЕЕ

Модуль обхода иммобилайзера Starline BP-06

ПОДРОБНЕЕ

2 страница из 18

Авто-мото-велотехникаАвтомобильное оборудование и тюнингОхранные и противоугонные системыМодули обхода иммобилайзераМодули обхода иммобилайзера SCHER-KHAN

Установка модулей обхода иммобилайзера Scher-khan в Екатеринбурге

Все чаще на автомобильном рынке встречаются авто со встроенными иммобилайзерами. Одни из них оборудованы системой RFID, а другие — VATS. Смысл иммобилайзеров заключается в том, что машину можно завести только ее «родным» ключом. То есть ключом, который записан в «памяти» у автомобиля (если автомобиль оснащен иммобилайзером RFID) либо ключом, который имеет характеристики, требуемые для запуска двигателя (для автомобилей, которые оборудованы системой VATS).

Тип иммобилайзеров RFID можно встретить у большинства авто азиатского и европейского производства, а иммобилайзеры VATS – практически у всех машин американского производства.

Обходчик иммобилайзеров Scher-Khan являет собой небольших размеров коробочку, куда ложится дополнительный ключ. В этой же коробочке располагается еще и реле, а также считывающая антенна.

Производители обходчиков данного бренда советуют применять модуль Scher-Khan BP-2 для автомобилей, которые произведены в азиатских странах, а Scher-Khan BP-3 – для машин европейской сборки.

---

Нужна наша помощь? Запишись к нам на установку! +7 (343) 328-67-25

Записаться

Торгово-установочный центр МегаЗвук проходит ежегодную сертификацию:

---

В торгово-установочном центре МегаЗвук Вы можете установить дополнительное оборудование, сделать шумоизоляцию, заменить акустику, ксенон и т. д. на Вашем любимом новеньком авто без потери дилерской гарантии.

Торгово-установочный центр МегаЗвук бережно относится к Вашему авто, мы выполняем установку дополнительного оборудования на Ваш авто оперативно и качественно, а самое главное по демократичным ценам, Вам больше не нужно переплачивать за работы у официального дилера!

Преимущества сертифицированного установочного центра:

• Автомобиль остается на гарантии! Торгово-установочный центр «Мегазвук» имеет все необходимые сертификаты на оборудование и проводимые работы. Копии сертификатов выдаются при сдаче автомобиля с полным комплектов документов
• Гарантированная защита от использования контрафактной или некачественной продукции
• Современное оборудование для монтажа, прекрасные условия работы и высокая квалификация мастеров позволяют Вам дать гарантию все на работы.
• Ежегодное повышение квалификации работников сервиса и торгового центра, что позволяет дать наиболее грамотную консультацию и услуги высокого класса.

Нужна наша помощь? Запишись к нам на установку! +7 (343) 328-67-25

Записаться

Товары нашего магазина

Наши специалисты помогут вам подобрать нужную продукцию Заявка на консультацию ни к чему вас не обязывает,

мы рады просто ответить на ваши вопросы Не тратьте время на детальное изучение каталогов: даже если вам известна марка нужной продукции или нужная услуга, от ошибки не застрахован никто. Наши специалисты помогут Вам найти именно то, что нужно Вам и Вашему автомобилю

Нанотехнологии, том 34, номер 26, июнь 2023 г., июнь 2023 г.

номер 26, 25 июня 2023 г.

Предыдущий выпускСледующий выпуск

Купить этот номер в печатном виде

Открыть все тезисы в этом выпуске

Письмо

26LT01

Клейкие пленки, армированные углеродными наночастицами, в качестве поверхностных датчиков для обнаружения деформации

Xoan F Sánchez-Romate, Édgar Gómez, María Sánchez and Alejandro Ureña

Open abstract Посмотреть статью, Клейкие пленки, армированные углеродными наночастицами, в качестве поверхностных датчиков для обнаружения деформации PDF, Клейкие пленки, армированные углеродными наночастицами, в качестве поверхностных датчиков для обнаружения деформации

Адгезивные пленки, армированные углеродными наночастицами, были исследованы в качестве поверхностных датчиков для обнаружения небольших деформаций. Было замечено, что графеновые нанопластинки, ЗНЧ, способствуют значительному увеличению калибровочного фактора по сравнению с углеродными нанотрубками, УНТ (от 5,6 до 0,6 соответственно при низких деформациях) из-за их внутренней двумерной природы. Было доказано, что применение в качестве поверхностных датчиков для мониторинга поля деформации в алюминиевой пластине является успешным, с повторяющимся сигналом в последовательных циклах, несмотря на некоторую необратимость в первом цикле для GNP. Кроме того, электрический отклик, даваемый датчиками при пластической деформации алюминиевой пластины, полностью соответствовал механическому отклику, подтвержденному численным анализом, что доказывает высокий потенциал предложенной клейкой пленки для сенсорных целей.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc746

Тематический обзор

262001

Синтез и применение композитов на основе MXene: обзор. Открыть реферат Посмотреть статью Синтез и применение композитов на основе MXene: обзор PDF, Синтез и применение композитов на основе MXene: обзор

В последнее время наблюдается значительный интерес к новому семейству карбидов, карбонитридов и нитридов переходных металлов, называемых MXenes (Ti ₃ C ₂ T _x ) из-за разнообразия их элементного состава. и поверхностные заделки, которые демонстрируют множество интересных физических и химических свойств. Благодаря своей легкой формуемости MXenes можно комбинировать с другими материалами, такими как полимеры, оксиды и углеродные нанотрубки, которые можно использовать для настройки их свойств для различных приложений. Как широко известно, MXenes и композиты на основе MXene получили широкое распространение в качестве электродных материалов в области накопления энергии. В дополнение к их высокой проводимости, восстановимости и биосовместимости они также продемонстрировали выдающийся потенциал для приложений, связанных с окружающей средой, включая электро/фотокаталитическое расщепление воды, фотокаталитическое восстановление диоксида углерода, очистку воды и датчики. В этом обзоре обсуждается композит на основе MXene, используемый в анодных материалах, а электрохимические характеристики анодов на основе MXene для аккумуляторов на основе Li (LiB) обсуждаются в дополнение к ключевым выводам, рабочим процессам и факторам, влияющим на электрохимические характеристики.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc7a8

Бумаги

Электроника и фотоника

265201

Первопринципный скрининг молекулярных примесей с переносом заряда на поверхности для алмаза n-типа

Bangyu Xing, Dandan Sang, Xueting Wang, Hongdong Li and Lijun Zhang

Фокус на аморфных и нанокристаллических полупроводниках

Открыть реферат Посмотреть статью, Скрининг молекулярных примесей с переносом заряда на поверхности для алмаза n-типа на основе первых принципов PDF, Первопринципный скрининг молекулярных примесей с переносом заряда на поверхности для алмаза n-типа

Легирование с переносом поверхностного заряда (ПППЗ) представляет собой альтернативный подход к получению легированных алмазов n-типа, поскольку объемное легирование n-типа алмазов остается проблемой, но до сих пор не удалось достичь эффективного ПППД n-типа алмаза. Здесь мы обеспечиваем всестороннее исследование SCTD n-типа алмаза с использованием расчетов из первых принципов, основанных на теории функционала плотности.

Принимая во внимание тот принцип, что потенциалы ионизации примесей должны быть выше, чем у алмаза, мы отобрали ряд молекул, которые могут быть пригодны для легирования SCTD алмаза n-типа. Метилвиологен и бензилвиологен обеспечивают наибольшее количество переносимых электронов среди обычных примесей SCTD n-типа для поверхностного алмаза с концевыми кислородом и фтором (100) с поверхностной плотностью электронов и соответственно. Указано, что количество перенесенных электронов положительно коррелирует с разницей между потенциалами ионизации примесей и сродством к электрону алмаза, при этом плотность примесей также оказывает положительное влияние с тенденцией к уменьшению. Настоящая работа обеспечивает полезное понимание физического механизма SCTD n-типа алмазов и способствует разработке алмазных материалов SCTD n-типа.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc745

265202

Ультратонкий изолятор под затвором из AlO _x и HfO _x с напылением атомарного слоя для аморфных тонкопленочных транзисторов InGaZnO

Jiye Li, Yuhang Guan, Jinxiong Li, Yuqing Zhang, Yu Хань Чжан, МанСун Чань , Xinwei Wang, Lei Lu и Shengdong Zhang

Открыть реферат Посмотреть статью, Сверхтонкий изолятор затвора из AlOx и HfOx с атомарным напылением для аморфных тонкопленочных транзисторов InGaZnO PDF, Ультратонкий изолятор затвора из AlOx и HfOx с атомарным напылением для аморфных тонкопленочных транзисторов InGaZnO

Чтобы усилить потенциал уменьшения масштаба тонкопленочных транзисторов (TFT) из аморфного оксидного полупроводника (AOS) с верхним затвором, сверхтонкий изолятор затвора (GI) был сравнительно реализован с использованием атомно-слоевого осаждения (ALD) AlO _х и HfO _х .

Оба типа высокотемпературных k GI демонстрируют хорошие изолирующие свойства даже при уменьшении физической толщины до 4 нм. По сравнению с TFT на основе аморфного оксида индия-галлия-цинка (a-IGZO) с 4 нм AlO _x GI, 4 нм HfO _x обеспечивает большую емкость GI, в то время как HfO _x -затворный TFT имеет более высокий ток утечки затвора и меньший подпороговый наклон, соответственно из изначально небольшой группы смещение и очень дефектный интерфейс между a-IGZO и HfO _x . Такой несовершенный интерфейс a-IGZO/HfO _x дополнительно вызывает заметную нестабильность положительного напряжения смещения. Оба ALD AlO _x и HFO _x , которые реагировали с каналом нижнего A-IGZO для генерации дефектов границы раздела, таких как металлические интерстиции и кислородные вакансии, в то время как ALD-процесс HFO _x 44444444444444444444444444444444444444444 к более сильному снижению а-IGZO. Более того, когда такой дефектный интерфейс закрыт верхним затвором, он не может быть легко восстановлен с использованием обычных окислительных последующих обработок и, таким образом, желателен предварительная обработка AOS, устойчивая к восстановлению.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc742

265203

Следующая статья находится в открытом доступе

Гетероструктуры со скрытым графеном для электростатического легирования низкоразмерных материалов

A Gumprich, J Liedtke, S Beck, I Chirca, T Potočnik, J A Alexander-Webber, S Hofmann and S Tappertzhofen

Открыть реферат Посмотреть статью, Скрытые графеновые гетероструктуры для электростатического легирования низкоразмерных материалов PDF, Скрытые графеновые гетероструктуры для электростатического легирования низкоразмерных материалов

Изготовление и определение характеристик транзисторных устройств с крутым наклоном на основе низкоразмерных материалов требует точных профилей электростатического легирования с крутыми пространственными градиентами для обеспечения максимального контроля над каналом. В этом экспериментальном исследовании мы представляем универсальную платформу графеновой гетероструктуры с тремя скрытыми электродами затвора с индивидуальной адресацией. Платформа основана на вертикальном пакете встроенных титана и графена, разделенных промежуточным оксидом, чтобы обеспечить почти плоскую поверхность. Мы демонстрируем функциональность и преимущества платформы, исследуя передаточные и выходные характеристики полевых транзисторов из углеродных нанотрубок с различными конфигурациями электростатического легирования при различных температурах. Кроме того, мы подкрепляем эту концепцию моделированием методом конечных элементов для исследования поверхностного потенциала. Представленная гетероструктура является идеальной платформой для анализа электростатического легирования низкоразмерных материалов для новых маломощных транзисторных устройств.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acbaa2

265204

Гетероструктурный аксиальный ансамбль GaAsSb в ближней инфракрасной области p–i–n на основе аксиальных сконфигурированных фотодетекторов из нанопроволоки

Просмотреть статью, Гетероструктурный аксиальный ансамбль GaAsSb, фотодетекторы с аксиальной конфигурацией на основе p – i – n в ближней инфракрасной области на основе нанопроволоки PDF, Гетероструктурный аксиальный ансамбль GaAsSb, ближний инфракрасный диапазон p–i–n на основе фотодетекторов с аксиальной конфигурацией нанопроволоки

В этой работе мы представляем систематический план экспериментов по выращиванию и последующую характеристику самокатализируемой молекулярно-пучковой эпитаксиально выращенной гетероструктуры GaAsSb с аксиальными p–i–n нанопроволоками (ННК) на p-Si <111> для ансамблевого фотодетектора (PD ) применение в ближней инфракрасной области. Были изучены различные методы роста, чтобы лучше понять, как смягчить некоторые проблемы роста, путем систематического изучения их влияния на электрические и оптические свойства ННК для создания высококачественной p-i-n-гетероструктуры. Успешными подходами к росту являются компенсация легирующей примесью Te для подавления p-типа собственного сегмента GaAsSb, прерывание роста для релаксации деформации на границе раздела, пониженная температура подложки для увеличения пересыщения и минимизации эффекта резервуара, более высокие составы запрещенной зоны n-сегмента. гетероструктуры относительно собственной области для усиления поглощения и высокотемпературного сверхвысокого вакуума отжиг in situ для уменьшения паразитного радиального разрастания. Эффективность этих методов подтверждается усилением излучения фотолюминесценции (ФЛ), подавлением темнового тока в p–i–n ННК гетероструктуры при одновременном повышении степени выпрямления, фоточувствительности и снижении уровня низкочастотных шумов. ФД, изготовленный с использованием оптимизированных аксиальных p–i–n ННК из GaAsSb, имел более длинноволновое отсечение на уровне ∼1,1 µ м со значительно более высокой чувствительностью ∼120 A W ^-1 (при смещении -3 В) и обнаружительной способностью 1,1 × 10 ¹³ Джонса при комнатной температуре. Независимая от частоты и смещения емкость в пикофарадном (пФ) диапазоне и существенно меньший уровень шума в условиях обратного смещения показывают перспективы p–i–n GaAsSb ННК для высокоскоростных оптоэлектронных приложений.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc2c6

Моделирование и нанопроизводство

265301

Атомно-слоевое осаждение способствовало изготовлению крупномасштабных металлических нанозазоров для поверхностно-усиленного комбинационного рассеяния

Tangjie Cheng, Zebin Zhu, Xinxin Wang, Lin Zhu, Aidong Li, Liyong Jiang и Yanqiang Cao

Открыть реферат Просмотреть статью, Создание крупномасштабных металлических нанозазоров с помощью осаждения атомных слоев для поверхностного комбинационного рассеяния PDF, Производство крупномасштабных металлических нанозазоров для поверхностного комбинационного рассеяния с помощью осаждения атомных слоев

Металлические нанозазоры могут ограничивать электромагнитное поле в чрезвычайно малых объемах, проявляя сильный эффект поверхностного плазмонного резонанса. Таким образом, металлические нанощели имеют большие перспективы для усиления взаимодействия света с веществом. Однако по-прежнему сложно изготовить крупномасштабные (сантиметровые) нанозазоры с точным контролем размера зазора в наномасштабе, что ограничивает практическое применение металлических нанозазоров. В этой работе мы предложили простую и экономичную стратегию изготовления крупномасштабных нанозазоров Ag размером менее 10 нм путем сочетания атомно-слоевого осаждения (ALD) и механической прокатки. Плазмонные нанощели могут быть сформированы в уплотненной пленке Ag за счет расходуемого Al ₂ O ₃ депонировано с помощью ALD. Размер нанозазоров определяется двойной толщиной Al ₂ O ₃ с нанометрическим контролем. Результаты комбинационного рассеяния показывают, что активность SERS сильно зависит от размера нанозазора, и нанопромежутки Ag размером 4 нм демонстрируют наилучшую активность SERS. В сочетании с другими пористыми металлическими подложками можно создавать различные металлические нанозазоры размером менее 10 нм в больших масштабах. Таким образом, эта стратегия будет иметь значительные последствия для подготовки нанопромежутков и расширенной спектроскопии.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc8d9

Датчики и срабатывания

265501

Простой, чувствительный, безметочный электрохимический иммуносенсор на основе покрытых хитозаном нанокомпозитов серебро/оксид церия (CS@Ag/CeO ₂ ) для обнаружения альфа-фетопротеина (АФП)

Фаррух Башир Каяни, Сайма Рафик, Ризван Акрам, Мозаффар Хусейн, Шазия Башир, Рубина Насир и Ян Шер Хан

Открыть реферат Посмотреть статью, Простой, чувствительный, безметочный электрохимический иммуносенсор на основе покрытых хитозаном нанокомпозитов серебра/оксида церия (CS@Ag/CeO2) для обнаружения альфа-фетопротеина (АФП) PDF, Простой, чувствительный, безметочный электрохимический иммуносенсор на основе нанокомпозитов серебра/оксида церия, покрытых хитозаном (CS@Ag/CeO2), для обнаружения альфа-фетопротеина (АФП)

Сенсоры на основе оксида металла обладают преимуществом недорогой, быстрой реакции и высокой чувствительности при обнаружении определенных биологических видов. В этой статье был изготовлен простой электрохимический иммуносенсор с использованием нанокомпозитов серебра/оксида церия, покрытых антителами и хитозаном (Ab-CS@Ag/CeO ₂ ), на золотом электроде для чувствительной диагностики альфа-фетопротеина (АФП) в образцах сыворотки человека. Успешный синтез конъюгатов АФП-антитело-CS@Ag/CeO ₂ был подтвержден инфракрасными Фурье-спектрами прототипа. Затем для иммобилизации полученного конъюгата на поверхности золотого электрода использовали аминовую химическую связь. Было замечено, что взаимодействие синтезированных Ab-CS@Ag/CeO ₂ нанокомпозиты с АФП предотвращали перенос электронов и снижали вольтамперометрический Fe(CN) ₆ ^3-/4- пиковый ток, который был пропорционален количеству АФП. Были найдены линейные диапазоны концентраций АФП от 10 ^-12 до 10 ^-6 г.мл ^-1 . Предел обнаружения был рассчитан по калибровочной кривой и составил 0,57 пг/мл ^-1 . Разработанный безметочный иммуносенсор успешно выявлял АФП в образцах сыворотки крови человека. В результате полученный иммуносенсор представляет собой многообещающую форму сенсорной пластины для обнаружения АФП и может быть использован в клиническом биоанализе.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc8d8

Материалы: синтез или самосборка

265601

Магнетронное напыление на неионогенное поверхностно-активное вещество для одностадийного получения наночастиц металлов без дополнительных химических реагентов

Анастасия Сергиевская, Халима Алем и Стефанос Константинидис

Открыть реферат Посмотреть статью, Магнетронное напыление на неионогенное поверхностно-активное вещество для одностадийного получения металлических наночастиц без дополнительных химических реагентов PDF, Магнетронное напыление на неионогенное поверхностно-активное вещество для одностадийного получения металлических наночастиц без дополнительных химических реагентов

Плазменное напыление на жидкости (SoL) представляет собой простой подход к синтезу малых металлических наночастиц (НЧ) без дополнительных стабилизирующих реагентов. В этой работе неионогенное поверхностно-активное вещество Triton X-100 впервые было использовано в качестве исходной жидкости для процесса SoL, и было продемонстрировано получение коллоидных растворов НЧ золота, серебра и меди. Средний диаметр сферических НЧ Au лежит в диапазоне от 2,6 до 5,5 нм в зависимости от условий. Представленный здесь подход открывает путь к производству концентрированных дисперсий НЧ металлов высокой чистоты, которые можно диспергировать в воде для будущего использования, тем самым расширяя возможности этого пути синтеза.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc7a9

Материалы: свойства, характеристики или инструменты

265701

Одновременное достижение высоких показателей термостабильности и энергопотребления за счет легирования иттрия в Sn ₁₅ Sb ₈₅ тонкая пленка

Shengqing Xu, Weihua Wu, Han Gu, Xiaochen Zhou, Xiaoqin Zhu, Jiwei Zhai, Sannian Song и Zhitang Song

Акцент на аморфных и нанокристаллических полупроводниках

Открыть реферат Посмотреть статью, Одновременное достижение высоких показателей термической стабильности и энергопотребления за счет легирования иттрия в тонкой пленке Sn15Sb85 PDF, Одновременное достижение высоких показателей термической стабильности и энергопотребления за счет легирования иттрием тонкой пленки Sn15Sb85

Было систематически исследовано влияние добавок иттрия на поведение фазового перехода и микроструктуру пленок Sn ₁₅ Sb ₈₅ . Легированный иттрием Sn _{15 9Пленка 0038 Sb 85 имеет более высокую температуру фазового перехода, способность сохранять данные в течение десяти лет и энергию активации кристаллизации, что представляет собой значительное улучшение термостабильности и сохранения данных. Рентгеновская дифракция, просвечивающая электронная микроскопия и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия показывают, что аморфные компоненты Sn и Y ограничивают рост зерен и уменьшают их размер. Режим комбинационного рассеяния, обычно связанный с Sb, изменяется при кристаллизации вещества. Результаты атомно-силовой микроскопии показывают, что морфология поверхности легированных пленок становится более гладкой. Т-образные аккумуляторы с фазовым переходом на основе Sn 9, легированного иттрием0037 15} Sb ₈₅ пленки обладают меньшим энергопотреблением. Результаты показывают, что характеристики кристаллизации пленки Sn ₁₅ Sb ₈₅ могут быть настроены и оптимизированы с помощью легирующей примеси иттрия для достижения отличных характеристик памяти фазового перехода.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc80f

265702

Водонепроницаемые нановолокнистые мембраны с направленным переносом пара для систем жидкостного влагопоглотителя

Е Яо, Ячжоу Су, Вэньхуа Ли, Линсян Ши и Сяося Сунь

Открыть реферат Посмотреть статью, Водонепроницаемые нановолокнистые мембраны с направленным переносом пара для систем осушителя с жидким адсорбентом PDF, Водонепроницаемые нановолокнистые мембраны с направленным переносом пара для систем осушителя с жидким осушителем

Система осушителя с жидким осушителем на основе мембраны представляет собой недавно разработанный метод в области осушения воздуха. В этом исследовании двухслойные нановолокнистые мембраны (DLNM) с направленным переносом пара и водоотталкивающими свойствами для осушения жидкости были изготовлены с помощью простого процесса электропрядения. В частности, комбинация нановолокнистой мембраны из термопластичного полиуретана и нановолокнистой мембраны из поливинилиденфторида (ПВДФ) образует конусообразную структуру в DLNM, что приводит к направленному переносу пара. Нанопористая структура и шероховатая поверхность нановолокнистой мембраны PVDF обеспечивают водонепроницаемость для DLNM. По сравнению с коммерческими мембранами предлагаемые DLNM имеют значительно более высокий коэффициент паропроницаемости, который достигает 539.0,67 г· мк мм м ⁻² ·24 ч·Па. Это исследование не только предлагает новый способ создания направленной паропроводящей и водонепроницаемой мембраны, но также демонстрирует огромные перспективы применения нановолокнистой мембраны, сформированной методом электропрядения, в области осушения растворов.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc590

265703

α -Fe ₂ O ₃ Устройство искусственной синаптической RRAM для распознавания образов с использованием искусственных нейронных сетей

Пристань Прабана, Каннан Удая Моханан и С. Нараяна Джаммаламадака

Открытый реферат Посмотреть статью, Устройство искусственной синаптической RRAM на основе α-Fe2O3 для распознавания образов с использованием искусственных нейронных сетей PDF, Устройство искусственной синаптической RRAM на основе α-Fe2O3 для распознавания образов с использованием искусственных нейронных сетей

Мы сообщаем об устройстве искусственной синаптической резистивной памяти с произвольным доступом кандидат в искусственные нейронные сети (ИНС) для распознавания изображений. Устройство состоит из структуры Ag/ α -Fe ₂ O ₃ /FTO и демонстрирует энергонезависимость с аналоговыми резистивными характеристиками переключения. Мы успешно продемонстрировали правила синаптического обучения, такие как долговременная потенциация, длительная депрессия и пластичность, зависящая от времени. Кроме того, мы также представили внешнее обучение для получения хорошей точности с помощью алгоритма обратного распространения с учетом синаптических весов, полученных от искусственного синаптического устройства на основе α -Fe ₂ O ₃ . Предлагаемый 9Устройство на основе 0041 α -Fe ₂ O ₃ было протестировано с наборами данных FMNIST и MNIST и получило высокую точность распознавания образов 88,06% и 97,6% точности теста соответственно. Такая высокая точность распознавания образов объясняется сочетанием производительности синаптического устройства, а также новой стратегии весового картирования, используемой в настоящей работе. Таким образом, идеальные характеристики устройства и высокая производительность ИНС показали, что изготовленное устройство может быть полезным для практической реализации ИНС.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc811

265704

Улучшение собственной проводимости нанопроводов InAs, выращенных в плоскости, с оболочкой из GaSb

W Khelifi, C Coinon, M Berthe, D Troadec, G Patriarche, X Wallart, B Grandidier and L Desplanque

Открыть реферат Просмотреть статью, Улучшение собственной проводимости нанопроволок InAs, выращенных в плоскости селективного участка, с оболочкой GaSb PDF, Улучшение собственной проводимости нанопроволок InAs, выращенных в плоскости селективного участка, с оболочкой GaSb

Наноразмерные собственные электрические свойства плоскостных нанопроволок InAs, выращенных методом селективной эпитаксии, исследованы с использованием беспроцессного метода с использованием многозондового сканирующего туннельного микроскопа. С помощью коллинеарного четырехточечного расположения зондов в сверхвысоких вакуум. Они сравниваются с сопротивлением эталонных образцов двумерного электронного газа, измеренным с использованием того же метода, и с геометрией Ван-дер-Пау для проверки. Значительное улучшение проводимости достигается, когда нанопроволоки InAs полностью внедрены в GaSb, демонстрируя собственную проводимость слоя, близкую к таковой у аналога с квантовой ямой.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc810

265705

Явление деградации светодиодов с квантовыми точками, индуцированное сильным электрическим полем Посмотреть статью, Явления деградации светодиодов с квантовыми точками, вызванные сильным электрическим полем PDF, Явления деградации светодиодов с квантовыми точками, индуцированные сильным электрическим полем

Квантовые точки обладают исключительными оптоэлектронными свойствами, такими как узкая полоса пропускания, регулируемая длина волны и совместимость с обработкой на основе растворов. Однако для эффективной и стабильной работы в режиме электролюминесценции необходимо решить несколько вопросов. В частности, по мере уменьшения размеров устройства более сильное электрическое поле может быть приложено через устройства следующего поколения на квантовых точках со светоизлучающими диодами (QLED), что может еще больше ухудшить качество устройства. В этом исследовании мы проводим систематический анализ явлений деградации устройства QLED, вызванного сильным электрическим полем, с использованием сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Мы прикладываем локальное сильное электрическое поле к поверхности QLED-устройства с помощью наконечника атомно-силовой микроскопии (АСМ) и исследуем изменения в морфологии и работе выхода в режиме силовой микроскопии зонда Кельвина. После экспериментов с СЗМ мы проводим измерения с помощью ПЭМ на том же поврежденном участке образца, на который воздействовало электрическое поле наконечника АСМ. Результаты показывают, что QLED-устройство может быть механически повреждено сильным электрическим полем, и работа выхода значительно изменяется в поврежденных участках. Кроме того, измерения с помощью ПЭМ показывают, что ионы In мигрируют от нижнего электрода из оксида индия-олова (ITO) к верхней части устройства QLED. Нижний электрод ITO также значительно деформируется, что может привести к изменению работы выхода. Систематический подход, принятый в этом исследовании, может обеспечить подходящую методологию для исследования явлений деградации различных оптоэлектронных устройств.

https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc871

Уязвимость иммобилайзера делает миллионы автомобилей Toyota, Hyundai и Kia уязвимыми для кражи

TechSpot празднует свое 25-летие. TechSpot — это технический анализ и советы, которым вы можете доверять.

В контексте: При всех удобствах, которые они обеспечивают, системы бесключевого доступа в автомобилях в течение нескольких лет подвергались ретрансляционным атакам, что требует от автопроизводителей усиления мер безопасности против таких взломов, для выполнения которых обычно требуется оборудование на несколько сотен долларов. . Новый метод клонирования ключей, разработанный исследователями безопасности из KU Leuven, Бельгия, и Университета Бирмингема, Великобритания, использует уязвимости в DST80, системе шифрования Texas Instruments, обнаруженной в иммобилайзерах автомобилей, используемых несколькими крупными производителями, что потенциально позволяет хакерам уехать с автомобилем.

Учитывая, что безопасность представляет собой постоянную чехарду поиска лазеек и исправления систем в нескольких отраслях, неудивительно, что современные высокотехнологичные автомобили подвергаются тому же процессу. Новое открытие, однако, может стать проблемой для Toyota, Hyundai и Kia, компаний, чьи модели десятилетней давности и более поздние были признаны уязвимыми для атаки клонирования ключей.

Несмотря на то, что конечная цель та же, метод клонирования отличается от ретрансляционной атаки тем, что для этого требуется, чтобы хакер взломал недорогое устройство считывания/передатчика RFID Proxmark с брелоком, внутри которого используется DST80, сообщает Wired.

Двухэтапный процесс включает в себя извлечение секретного криптографического значения брелока с помощью эксплойта, который имитирует устройство RFID в качестве ключа внутри автомобиля и позволяет отключить иммобилайзер. Поскольку взлом затрагивает только иммобилайзер, а не систему доступа без ключа, хакеру все равно нужно запустить двигатель, повернув зажигание.

Вот тут-то и начинается второй этап «горячей проводки», который, по словам исследователей, также может быть выполнен с помощью хорошо расположенной отвертки в цилиндре зажигания, методы, используемые угонщиками автомобилей до того, как появился иммобилайзер. безопасности к тому, что было в 80-х», — отмечает профессор компьютерных наук Флавио Гарсия из Бирмингемского университета.

Из всех затронутых автомобилей только Tesla выпустила программное исправление для своей модели S. список. Проблема также затронула Model S 2018 года, которая, по словам исследователей, была исправлена ​​​​Tesla с помощью OTA-обновления в прошлом году, когда компания сообщила об уязвимости DST80.

Здесь стоит отметить, что недостаток заключается не в самой DST80, а в том, как автопроизводители решили внедрить эту систему. Toyota, которая признала эту уязвимость, имела брелоки, передающие криптографические ключи на основе серийного номера автомобиля, в то время как Hyundai и Kia упростили (и ускорили) угадывание ключа, используя 24-битную случайность вместо 80-битной, предлагаемой DST80. Исследователи смогли получить эту информацию, получив коллекцию ЭБУ иммобилайзера с eBay и реконструировав их прошивку, чтобы проанализировать, как они взаимодействуют с брелоками.

«Описанная уязвимость относится к более старым моделям, поскольку текущие модели имеют другую конфигурацию», — говорится в заявлении Toyota для Wired, добавляя, что «эта уязвимость представляет собой низкий риск для клиентов, поскольку методология требует как доступа к физическому ключ и к узкоспециализированному устройству, которое обычно недоступно на рынке». с чем исследователи не согласились, в то время как Hyundai отметила, что ни одна из затронутых ею моделей не продается в США, и напомнила клиентам, «чтобы они были внимательны к тому, кто имеет доступ к брелоку их автомобиля».